用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法和铜布线聚酰亚胺膜

发明专利无效专利

申请号：
CN200780018779.8
IPC分类号：H05K3/18;H05K1/09;H05K3/38;B32B15/08
申请日期：
2007-03-23
申请人：
宇部兴产株式会社

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著录项信息

专利名称	用于制备铜布线聚酰亚胺膜的方法和铜布线聚酰亚胺膜
申请号	CN200780018779.8	申请日期	2007-03-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-06-03	公开/公告号	CN101449633
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05K3/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05K 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造（其他类目不包括的仪器零部件或其他设备的类似零部件入G12B；薄膜或厚膜电路入H01L 27/01，H01L 27/13；用于对印刷电路或印刷电路之间的电连接的非印刷方法入H01R；用于特殊类型设备的外壳或其结构零部件，见有关小类；仅包括单一工艺的加工方法，例如已列入其他类目的加热、喷射，见有关的类） H05K3/00 用于制造印刷电路的设备或方法（结构表面或图形表面照相制板的制作、所用的材料或原图、其专用的设备，一般入G03F；包括有半导体器件制造的入H01L）〔3〕 H05K3/10 其中将导电材料按照形成所要求的导电图案的方式敷至绝缘支承物上的 H05K3/18 应用沉淀技术涂加导电材料的	IPC分类号	H;0;5;K;3;/;1;8;;;H;0;5;K;1;/;0;9;;;H;0;5;K;3;/;3;8;;;B;3;2;B;1;5;/;0;8查看分类表>
申请人	宇部兴产株式会社	申请人地址	日本山口县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宇部兴产株式会社	当前权利人	宇部兴产株式会社
发明人	下川裕人;番场启太
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	王旭

摘要

本发明提供了一种高直线性和非常小间距的铜布线聚酰亚胺膜。所述铜布线聚酰亚胺膜是由一种通过使用具有载体的铜箔层压聚酰亚胺膜(1)，由半添加法制备具有间距为20至45μm的铜布线部分的铜布线聚酰亚胺膜的方法所制备的。所述制备方法包括：(a)提供铜箔层压膜的步骤，所述铜箔层压膜包含在聚酰亚胺膜(2)的表面上的铜箔(4b)，所述铜箔(4b)具有不大于1.0μm的膜-侧表面粗糙度Rz，并且具有在0.5至2μm的范围内的厚度，(b)形成镀敷抗蚀剂图案层(17)的步骤，其中可以在所述铜箔的表面上形成间距为20至45μm的布线图案，(c)在从抗蚀剂暴露的铜箔部分上进行镀铜(10)的步骤，(d)去除的镀敷抗蚀剂的步骤，和(e)去除暴露在去除所述镀敷抗蚀剂的部分上暴露的所述铜箔以暴露聚酰亚胺膜(8)的步骤。

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