一种基于FC芯片的双面挖腔陶瓷封装结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202020914459.3
IPC分类号：H01L23/057;H01L23/10;H01L25/18
申请日期：
2020-05-27
申请人：
上海芯波电子科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种基于FC芯片的双面挖腔陶瓷封装结构
申请号	CN202020914459.3	申请日期	2020-05-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/057 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/02 容器；封接（H01L 23/12，H01L 23/34，H01L 23/48，H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/04 按外形区分的〔2〕 H01L23/053 中空容器，并有用于半导体本体安装架的绝缘基座〔5〕 H01L23/057 引线平行于基座的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;0;5;7;;;H;0;1;L;2;3;/;1;0;;;H;0;1;L;2;5;/;1;8查看分类表>
申请人	上海芯波电子科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区盛夏路608号2号楼210-211室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海芯波电子科技有限公司	当前权利人	上海芯波电子科技有限公司
发明人	胡孝伟;代文亮;伊海伦
代理机构	上海乐泓专利代理事务所（普通合伙）	代理人	王瑞

摘要

本实用新型的一种基于FC芯片的双面挖腔陶瓷封装结构，属于芯片陶瓷封装技术领域。包括陶瓷基板和FC芯片，陶瓷基板的两侧向内凹陷形成上空腔和下空腔，上空腔和下空腔内均设有FC芯片，上空腔和下空腔内壁通过锡球与FC芯片固定，FC芯片与锡球之间还填充有点胶层，陶瓷基板底部设有若干个均匀分布的植球。通过在陶瓷基板两侧面挖腔形成上空腔和下空腔，上空腔和下空腔内分别安装有FC芯片，使得陶瓷基板的封装空间变大，提高了陶瓷封装的空间利用率且降低了陶瓷封装的外形尺寸。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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