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制造薄膜晶体管阵列基板的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010509943.9
  • IPC分类号:H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
  • 申请日期:
    2010-10-13
  • 申请人:
    乐金显示有限公司
著录项信息
专利名称制造薄膜晶体管阵列基板的方法
申请号CN201010509943.9申请日期2010-10-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2011-05-04公开/公告号CN102044490A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/77IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8查看分类表>
申请人乐金显示有限公司申请人地址
韩国首尔 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人乐金显示有限公司当前权利人乐金显示有限公司
发明人南承熙;文泰亨
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人吕俊刚;赵芳
摘要
制造薄膜晶体管阵列基板的方法,本发明公开了一种具有减少的掩模工艺次数的制造TFT阵列基板的方法。该方法包括如下步骤在基板上依次沉积第一导电材料、栅绝缘层、半导体层和第二导电材料,并在第二导电材料上形成具有三个高度水平的第一抗蚀剂图案。该方法还包括使用第一抗蚀剂图案通过多道蚀刻工艺来形成选通线、与选通线交叉并具有第一狭缝单元和第二狭缝单元的数据线、与数据线连接并具有第三狭缝单元的源极以及与源极相对地设置并具有第四狭缝单元的漏极,在源极和漏极之间设置有沟道。

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