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采用1,1-二氟乙烷为保护气氛的镁合金熔炼方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410052616.X
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2004-07-08
  • 申请人:
    上海交通大学
著录项信息
专利名称采用1,1-二氟乙烷为保护气氛的镁合金熔炼方法
申请号CN200410052616.X申请日期2004-07-08
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2005-03-02公开/公告号CN1587424
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人上海交通大学申请人地址
上海市闵行区东川路800号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海交通大学当前权利人上海交通大学
发明人彭立明;曾一文;曾小勤;丁文江;毛协民
代理机构上海交达专利事务所代理人毛翠莹
摘要
一种采用1,1-二氟乙烷为保护气氛的镁合金熔炼方法,将体积含量为0.01-4%的1,1-二氟乙烷与辅助稀释气体在混气装置中混合后作为镁熔体的气氛保护剂,将纯镁或镁合金置于封闭坩埚中加热升温后将混合气体通入坩埚,使气体覆盖在纯镁或镁合金熔体表面形成一层致密的氧化保护膜,通入的混合气体每分钟流量是封闭气体容积的0.05-8%,继续加热升温并在气体保护下进行精炼变质,静置后进行重力浇注或压力铸造。本发明采用的保护气体可有效防止镁合金在熔炼过程中的氧化和燃烧,具有良好的保护效果、低廉的价格和较低的温室效应。

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