薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200510054713.7
IPC分类号：--
申请日期：
2005-03-14
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	薄膜晶体管、半导体器件及其制造方法
申请号	CN200510054713.7	申请日期	2005-03-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-09-14	公开/公告号	CN1667840
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	荒尾达也;三宅博之
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	张雪梅;张志醒

摘要

本发明提供了一种半导体元件，即使其衬底受热收缩影响极大，例如其衬底为大尺寸衬底，该元件的工作也不受影响。此外，本发明提供了均含有该半导体元件的薄膜半导体电路和薄膜半导体器件。另外，即使出现轻微的掩模版偏移时，半导体元件的工作也不受影响。考虑到这些，形成多个栅电极以覆盖半导体层的低浓度杂质区域，该区域的掺杂浓度低于漏区一侧的漏区。此外，形成对应于各个栅电极的源区和漏区，使得电流流过各个栅电板相应沟道区的方向相反。另外，电流以第一方向流过的沟道区的数目等于电流以与第一方向相反的方向流过的沟道区数目。

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