沟槽MOSFET接触件

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202120975930.4
IPC分类号：H01L23/48;H01L23/16;H01L29/78
申请日期：
2021-05-10
申请人：
无锡力神微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	沟槽MOSFET接触件
申请号	CN202120975930.4	申请日期	2021-05-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;1;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	无锡力神微电子有限公司	申请人地址	江苏省无锡市滨湖区兴阳路9号12-502 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡力神微电子有限公司	当前权利人	无锡力神微电子有限公司
发明人	郭力
代理机构	连云港联创专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	鲁超

摘要

本实用新型公开了沟槽MOSFET接触件，包括电路板和MOSFET芯片，所述MOSFET芯片设置于所述电路板正面中心，所述MOSFET芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，所述电路板上方横向均匀设置有多组接线组件，且所述电路板顶部设置有支撑多组接线组件的承托轴。有益效果在于：本实用新型通过将多组漏极引脚均设置为可转动到不同角度的可调式结构，便于将相邻漏极引脚转动到不同角度以便于进行接线操作，避免相邻漏极引脚位置过近而阻碍操作，使用方便，且使用两组可撑开的支臂配合压框对MOSFET芯片进行压紧固定，提高MOSFET芯片的拆装便捷性，实用性强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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