一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器和制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010772341.6
IPC分类号：H03C1/00;H03C1/36;H04L27/04;G02F1/01
申请日期：
2020-08-04
申请人：
重庆邮电大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器和制作方法
申请号	CN202010772341.6	申请日期	2020-08-04
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-03	公开/公告号	CN111884593A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03C1/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03C 调制（微波激射器或激光器入H01S；编码、译码或代码变换入H03M） H03C1/00 幅度调制（H03C 5/00，H03C 7/00优先）	IPC分类号	H;0;3;C;1;/;0;0;;;H;0;3;C;1;/;3;6;;;H;0;4;L;2;7;/;0;4;;;G;0;2;F;1;/;0;1查看分类表>
申请人	重庆邮电大学	申请人地址	重庆市江北区北城天街15号负3号79号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	精准大数据研究院（重庆）有限公司	当前权利人	精准大数据研究院（重庆）有限公司
发明人	马勇;潘武;杨力豪;杨龙亮;何金橙;肖惠云
代理机构	成都行之专利代理事务所（普通合伙）	代理人	李朝虎

摘要

本发明公开了一种基于HEMT的环形开口太赫兹幅度调制器及其制作方法，包括：半导体衬底、位于半导体衬底表面的外延层，外延层上设置有调制阵列、肖特基电极和欧姆电极；所述调制阵列由M×N个调制阵元周期排列组成，调制阵元由4个开口圆环形的结构单元构成，结构单元开口处匹配一个高电子迁移率晶体管，高电子迁移率晶体管的栅极通过栅极馈线与肖特基电极连接后连接电源负极，高电子迁移率晶体管的源极和漏极分别连接结构单元开口的两侧，结构单元通过源漏馈线与欧姆电极连接后连接电源正极。通过外加偏置电压控制高电子迁移率晶体管来进行超表面谐振模式的转换，实现对自由空间传播的太赫兹波的快速调幅，结构单元不同模式相互转换以达到多个频点的调制。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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