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半导体结构及其加工方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110125280.9
  • IPC分类号:H01L21/68
  • 申请日期:
    2021-01-29
  • 申请人:
    福建省晋华集成电路有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构及其加工方法
申请号CN202110125280.9申请日期2021-01-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-04公开/公告号CN112908917A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/68IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;8查看分类表>
申请人福建省晋华集成电路有限公司申请人地址
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人福建省晋华集成电路有限公司当前权利人福建省晋华集成电路有限公司
发明人刘利晨;夏忠平;巫奉伦
代理机构上海思捷知识产权代理有限公司代理人郑星
摘要
本发明提供了一种半导体结构及其加工方法。半导体结构的对准标记包括不同方向设置的第一对准模组和第二对准模组,以利于在光刻工艺中实现不同方位的位置对准,并且第一对准模组和第二对准模组还更为精细的划分为多个第一方向标记图案和多个第二方向标记图案,从而能够对对准标记进行更为精细的读取识别,提高光刻工艺的对准精度。

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