深亚微米CMOS源漏制造技术中的工艺集成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310109455.9
IPC分类号：--
申请日期：
2003-12-16
申请人：
上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	深亚微米CMOS源漏制造技术中的工艺集成方法
申请号	CN200310109455.9	申请日期	2003-12-16
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-11-17	公开/公告号	CN1547255
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市淮海中路918号18楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司
发明人	周伟
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	滕怀流;陶金龙

摘要

本发明涉及一种集成电路亚微米源漏制造技术中的工艺集成方法。0.09μm至0.13μmCMOS制造工艺采用LDD，附加边墙，MDD，边墙，HDD三结结构，在附加边墙形成前后分别对NMOS和PMOS注入一定剂量和能量的N型和P型杂质，在高掺杂注入后使用RTP高温快速退火，以保证晶体管的栅耗尽特性。本发明主要是减小退火敏感性对晶体管特性的影响，提高工艺的稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供