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R-T-B系永磁体的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911211377.0
  • IPC分类号:H01F1/057;H01F41/02
  • 申请日期:
    2019-12-02
  • 申请人:
    TDK株式会社
著录项信息
专利名称R-T-B系永磁体的制造方法
申请号CN201911211377.0申请日期2019-12-02
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-06-09公开/公告号CN111261352A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01F1/057IPC分类号H;0;1;F;1;/;0;5;7;;;H;0;1;F;4;1;/;0;2查看分类表>
申请人TDK株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人TDK株式会社当前权利人TDK株式会社
发明人坪仓多惠子;增田健;村瀬琢
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人杨琦;王磊
摘要
R‑T‑B系永磁体的制造方法具有使扩散材料附着于磁铁基材的表面,并将附着了扩散材料的磁铁基材进行加热的扩散工序,磁铁基材含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B,至少一部分R为Nd,至少一部分T为Fe,扩散材料含有第一成分、第二成分和第三成分,第一成分为Tb的单体和Dy的单体中的至少一种,第二成分为含有Nd和Pr中至少一种且不含Tb和Dy的金属,第三成分为选自铜的单质、含有铜的合金和铜的化合物中的至少一种。或者,第一成分为Tb的氢化物和Dy的氢化物中至少一种,第二成分为Nd的氢化物和Pr的氢化物中的至少一种。

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