利用氮注入改善锗硅选择性外延的侧墙淀积问题的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410253551.9
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/8238
申请日期：
2014-06-09
申请人：
上海华力微电子有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	利用氮注入改善锗硅选择性外延的侧墙淀积问题的方法
申请号	CN201410253551.9	申请日期	2014-06-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-20	公开/公告号	CN103996619A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;8查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江开发区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	邱裕明
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王宏婧

摘要

本发明提供了一种利用氮注入改善锗硅选择性外延的侧墙淀积问题的方法，包括：提供在衬底中形成有由隔离区隔开的NMOS器件区域以及PMOS器件区域的硅片，其中在NMOS器件区域以及PMOS器件区域上形成有具有氮化硅侧墙的栅极结构；在衬底的NMOS器件区域上布置光刻掩膜，暴露PMOS器件区域；利用氮注入工艺和退火工艺对光刻掩膜暴露的PMOS器件区域的氮化硅侧墙进行侧墙表面预处理；对经过侧墙表面预处理之后的PMOS器件区域进行刻蚀以形成源漏区凹槽；通过选择性外延生长填充刻蚀形成的源漏区凹槽以形成锗硅源漏区。通过在蚀刻之前先使用低能量的氮注入和高温退火，进行侧墙表面预处理，可以消耗硅断键，降低侧墙的锗硅层的淀积速度，增强淀积选择性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供