半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710008070.1
IPC分类号：H01L29/423;H01L29/78;H01L27/02;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/82
申请日期：
2007-02-09
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN200710008070.1	申请日期	2007-02-09
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-08-15	公开/公告号	CN101017847
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/423 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/41 以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕 H01L29/423 不通有待整流、放大或切换电流的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	林怡君;吴国铭;柳瑞兴
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	陈晨

摘要

一种半导体装置，包括：一基底，其内设置有一第一阱区；一栅极结构，部分覆盖该基底，其中该栅极结构包括一栅极介电层与该栅极介电层上的一栅极；一沟道阱区与一第二阱区，分别位于该第一阱区中的一部分且设置于该栅极结构的对应侧；一源极区，位于该沟道阱区的一部分中；以及一漏极区，位于该第二阱区的一部分中，其中该栅极介电层包括位于邻近该源极区的该栅极结构一端的一相对薄的部分，以及位于邻近该漏极区的该栅极结构一端的一相对厚的部分，该相对厚的部分直接接触该漏极区。本发明提供的一种适用于在高电压下操作的半导体装置，其具有较低的导通电阻，并且有利于进一步缩减半导体装置的空间。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供