一种对MEMS微结构进行非接触式激励的聚焦激波激励装置

发明专利无效专利

申请号：
CN201610867241.5
IPC分类号：B81C99/00
申请日期：
2016-09-30
申请人：
渤海大学

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专利名称	一种对MEMS微结构进行非接触式激励的聚焦激波激励装置
申请号	CN201610867241.5	申请日期	2016-09-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2017-01-11	公开/公告号	CN106315507A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C99/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C99/00 本小类其他各组中不包括的技术主题〔2010.01〕	IPC分类号	B;8;1;C;9;9;/;0;0查看分类表>
申请人	渤海大学	申请人地址	辽宁省锦州市松山新区科技路19号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	渤海大学	当前权利人	渤海大学
发明人	佘东生;杨一柳;魏泽飞;杨祯山;赵辉
代理机构	锦州辽西专利事务所（普通合伙）	代理人	李辉

摘要

本发明公开了一种对MEMS微结构进行非接触式激励的聚焦激波激励装置，包括基板，在基板上设有手动三轴位移台和支座，手动三轴位移台的Z轴溜板上设有微结构单元；在支座上端设有内腔为半个椭球面的椭球腔体，椭球面第一焦点位于椭球腔体内，微结构单元位于椭球面的第二焦点一侧；在椭球腔体上设有针电极单元；二个针电极分别与高压电容的两极电联接，在高压电容与一个针电极之间设有第一空气开关，二个针电极针尖之间距离小于高压电容充分充电后的最大空气击穿间隙；高压电容电联接至高压电源的正负极。有益效果是：该装置能够避免底座结构的振动响应对测试结果的干扰，实现了对MEMS微结构的非接触式激励，激励效果好，便于获取微结构的动态特性参数。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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