在开式磁共振装置中的噪声抑制

发明专利无效专利

申请号：
CN02825832.0
IPC分类号：G01R33/385
申请日期：
2002-12-19
申请人：
皇家飞利浦电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	在开式磁共振装置中的噪声抑制
申请号	CN02825832.0	申请日期	2002-12-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-04-13	公开/公告号	CN1606699
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/385 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/20 涉及磁共振（医学方面入A61B 5/055；磁共振陀螺测试仪入G01C 19/60）〔4，5〕 G01R33/28 G01R 33/44到G01R 33/64各组中仪器的零部件〔5〕 G01R33/38 主磁场或梯度磁场的产生、均匀或稳定系统〔5〕 G01R33/385 使用梯度磁场线圈〔6〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;3;8;5查看分类表>
申请人	皇家飞利浦电子股份有限公司	申请人地址	荷兰艾恩德霍芬变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	皇家飞利浦电子股份有限公司	当前权利人	皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人	P·R·哈维;J·A·奥弗维格;A·H·范奥门
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	王岳;张志醒

摘要

本发明涉及一种MR装置(1)，其具有开式检查容积(6)，以便于检查容积(6)从侧面也可接近；具有主线圈设备(2)，用于产生被放置在检查容积(6)的两个相对侧上面的主磁场；具有用于激励质子进动的至少一个高频线圈设备(5)；以及具有被放置在检查容积(6)相对侧上面的至少一个两段梯度线圈，用于质子进动激励的位置编码。动态洛伦兹力至今已经导致高的振荡水平。本发明的目的是提供一种仅具有低振荡水平的MR装置(1)。本发明建议，在检查容积(6)的至少一侧上，中央凹进部分(7)从所述检查容积(6)延伸并且通过主线圈设备(2)，在所述凹进部分(7)中支撑元件(9)被放置，梯度线圈设备(4)被排他地附着到所述支撑元件(9)面对检查容积(6)的那侧。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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