“D”形截面环形双层壁超高真空容器制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710019672.7
IPC分类号：G21B1/17;B23P23/04;B23K37/04
申请日期：
2007-01-29
申请人：
中国科学院等离子体物理研究所

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专利名称	“D”形截面环形双层壁超高真空容器制造方法
申请号	CN200710019672.7	申请日期	2007-01-29
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-09-26	公开/公告号	CN101042944
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G21B1/17 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G21 核物理；核工程 G21B 聚变反应堆（不可控聚变，其应用入G21J） G21B1/02 （转入G21B 1/00，G21B 3/00） G21B1/11 零件〔8〕 G21B1/17 真空室；真空系统〔8〕	IPC分类号	G;2;1;B;1;/;1;7;;;B;2;3;P;2;3;/;0;4;;;B;2;3;K;3;7;/;0;4查看分类表>
申请人	中国科学院等离子体物理研究所	申请人地址	安徽省合肥市蜀山湖路350号1126信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院等离子体物理研究所	当前权利人	中国科学院等离子体物理研究所
发明人	姚达毛;姚国强;张思根;武松涛;诸宝飞
代理机构	安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人	余成俊

摘要

本发明公开了一种“D”形截面环形双层壁超高真空容器制造方法，将“D”形截面环形双层壁容器，设计分割成多个扇段，按各扇段内层壁和外层壁的展开形状，分块下料，其中除用于直线段块料外，其余部分块料用模具冲压成和“D”形扇段内层壁或外层壁匹配的双曲面；制作内层壁焊接工装，依次焊接内层壁与外层壁。最后将各扇段焊接成环形真空容器。本发明有合理的结构设计及优化，采用了极为简单的工艺与极低成本的制造技术制造出结构复杂，精度要求高的用于前沿科学研究的真空容器，为先进设备在有限条件下进行研制开了先河。

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