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用于温度传感器的双层防水封装结构

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201120151707.4
  • IPC分类号:G01K1/08
  • 申请日期:
    2011-05-13
  • 申请人:
    上海市地矿工程勘察院
著录项信息
专利名称用于温度传感器的双层防水封装结构
申请号CN201120151707.4申请日期2011-05-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01K1/08IPC分类号G;0;1;K;1;/;0;8查看分类表>
申请人上海市地矿工程勘察院申请人地址
上海市闸北区灵石路930号地质大厦12楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海市地矿工程勘察院当前权利人上海市地矿工程勘察院
发明人王万忠;章长松;高世轩;乔坚强;王小清;寇利;孙婉;魏静;杨树彪;孙俊杰;袁良英
代理机构上海申蒙商标专利代理有限公司代理人徐小蓉
摘要
本实用新型涉及一种电子元器件的防水封装结构,特别涉及一种用于温度传感器的双层防水封装结构。包括总线、与所述总线连接之脚线、设于所述脚线端部的感温元件、密封包裹所述脚线、感温元件及总线与脚线相接之局部的第一封装层,其特征在于:所述第一封装层外侧设有与其密封相接的第二封装层,所述总线从所述第一封装层延伸出的两端穿越所述第二封装层并伸出。本实用新型的优点是:解决数字式深水传感器在大压力下的防水问题,具有良好的可靠性,保证了温度传感器在监测井下的成活率。

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