一种传感器单晶硅刻蚀装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201811067589.1
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/3065;H01J37/32
申请日期：
2018-09-13
申请人：
蚌埠市龙子湖区金力传感器厂

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种传感器单晶硅刻蚀装置
申请号	CN201811067589.1	申请日期	2018-09-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-19	公开/公告号	CN109494177A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	蚌埠市龙子湖区金力传感器厂	申请人地址	安徽省蚌埠市龙子湖区马村新庄变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	蚌埠市龙子湖区金力传感器厂	当前权利人	蚌埠市龙子湖区金力传感器厂
发明人	张如根
代理机构	安徽力澜律师事务所	代理人	王际复;吕晓璐

摘要

本发明涉及刻蚀装置的技术领域，具体涉及一种传感器单晶硅刻蚀装置，套筒固定连接在机架一上，所述套筒内壁均匀的开设有若干滑槽，套筒内壁的滑槽内滑动连接有滑块，反应室与滑块外壁固定连接，机架二上固定连接有液压缸一，液压缸一的活塞杆与反应室固定连接，套筒外壁开设有与套筒内壁滑槽位置对应的滑槽，套筒外壁的滑槽内滑动连接有安装板，安装板上均匀的开设有若干螺纹孔，安装板上通过螺栓配合螺纹孔固定连接有多个安装环，安装环上转动连接有线圈，线圈外壁固定连接有齿环，机架二上固定连接有伺服电机；本发明具有拿取、放置方便，灵活性高，调节范围广等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供