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一种新型的含蒽结构窄带隙共轭聚合物材料的制备

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210322620.8
  • IPC分类号:C08G61/12
  • 申请日期:
    2012-09-04
  • 申请人:
    北京师范大学
著录项信息
专利名称一种新型的含蒽结构窄带隙共轭聚合物材料的制备
申请号CN201210322620.8申请日期2012-09-04
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-03-26公开/公告号CN103665332A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08G61/12IPC分类号C08G61/12查看分类表>
申请人北京师范大学申请人地址
北京市新街口外大街19号北京师范大学化*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京师范大学当前权利人北京师范大学
发明人李翠红;龚雪;薄志山
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种新型的含蒽结构窄带隙共轭聚合物材料的制备方法与应用。本发明含蒽结构窄带隙共轭聚合物,结构如说明书附图中图1所示所示。其中n为大于等于4的整数。目前,具有给受体交替结构主链的共轭聚合物是当前研究的重点,含蒽结构窄带隙共轭聚合物具有非常好的平面性,有利于聚合物链之间的π-π有序堆叠,聚合物链的有序堆叠有利于提高聚合物载流子迁移率。含蒽结构的共轭聚合物在有机场效应管和有机发光二级管中的应用已经有了一些研究。但是,在光伏材料的应用中,含蒽结构窄带隙共轭聚合物材料目前报道的还比较少见。

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