一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材料的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610373655.2
IPC分类号：C30B29/40;C30B25/16;C30B25/14
申请日期：
2016-05-30
申请人：
东莞市中镓半导体科技有限公司

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专利名称	一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材料的方法
申请号	CN201610373655.2	申请日期	2016-05-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-08-17	公开/公告号	CN105862132A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/40 AⅢBv化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;0;;;C;3;0;B;2;5;/;1;6;;;C;3;0;B;2;5;/;1;4查看分类表>
申请人	东莞市中镓半导体科技有限公司	申请人地址	广东省东莞市企石镇科技工业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东莞市中镓半导体科技有限公司	当前权利人	东莞市中镓半导体科技有限公司
发明人	熊欢;陈蛟;刘南柳;何进密
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种在HVPE中高速率稳定生长GaN晶体材料的方法：将从盛放液态Ga的Ga舟通入的HCl气体，在通过本发明‑改善的HCl气体流通途径时，与金属Ga充分混合而反应生成GaCl气体，从液态Ga的上部液面逸出后，导入生长区与NH3反应生成GaN以供生长。本方法，由于避免HCl气体直接进入生长区及籽晶附近，所以提高GaN晶体材料的生长速率；并且，由于增加反应时间，可改善Ga液面下降引起生长区GaCl浓度变化致使GaN生长速度下降的问题，从而提高GaN晶体生长的稳定性。

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