一种硅基负极材料及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110524212.X
IPC分类号：H01M4/48;H01M4/62;H01M10/052
申请日期：
2021-05-13
申请人：
溧阳天目先导电池材料科技有限公司

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专利名称	一种硅基负极材料及其制备方法和应用
申请号	CN202110524212.X	申请日期	2021-05-13
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-08-13	公开/公告号	CN113258053A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕 H01M4/48 无机氧化物或氢氧化物的〔2，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;4;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2查看分类表>
申请人	溧阳天目先导电池材料科技有限公司	申请人地址	江苏省常州市溧阳市昆仑街道上上路87号15栋办公楼3层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	溧阳天目先导电池材料科技有限公司	当前权利人	溧阳天目先导电池材料科技有限公司
发明人	罗飞
代理机构	北京慧诚智道知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	李楠

摘要

本发明涉及一种硅基负极材料及其制备方法和应用。硅基负极材料包括：氧化亚硅基质和碳原子，其中所述碳原子以原子级别均匀分布在氧化亚硅基质中；碳原子与硅原子结合形成无序的C‑S i键，X射线衍射能谱(XRD)中无S i C的结晶峰；所述硅基负极材料的X射线光电子能谱(XPS)中，C 1s能谱分峰后在283.5±1eV位置处有属于C‑S i键的结合峰；所述硅基负极材料颗粒的平均粒径D50为1nm‑100μm，比表面积为0.5m2/g‑40m2/g；所述碳原子的质量占氧化亚硅基质质量的0.1％‑40％。本发明以气态处理所得超细的硅结合高导电的碳，形成了分子水平混合的无序C‑S i键结构，有利于减缓材料的体积膨胀，提升氧化亚硅内部的导电性，提升材料的快充性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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