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半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装

发明专利无效专利

申请号：
CN201410353021.1
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60
申请日期：
2014-07-23
申请人：
三星电机株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装
申请号	CN201410353021.1	申请日期	2014-07-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-18	公开/公告号	CN104425398A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	三星电机株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电机株式会社	当前权利人	三星电机株式会社
发明人	金泰贤;俞度在;朴兴雨
代理机构	北京润平知识产权代理有限公司	代理人	孙向民;肖冰滨

摘要

在此公开了一种半导体封装、制造半导体封装的方法和叠层式半导体封装。根据本发明优选实施方式的半导体封装包括：基底，在该基底上形成第一电路层；半导体装置，形成在所述基底上；模制部，形成在所述基底上并形成以包围所述第一电路层和所述半导体装置；第一通道，形成在第一电路层上并形成为穿透所述模制部；以及第二电路层，形成在所述模制部的上表面上并与所述第一通道一体成型。

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