一种温差电池的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910105173.9
IPC分类号：H01L35/32;H01L35/34
申请日期：
2009-01-20
申请人：
深圳大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种温差电池的制作方法
申请号	CN200910105173.9	申请日期	2009-01-20
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-07-15	公开/公告号	CN101483218
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L35/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L35/00 包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件（由一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2〕 H01L35/28 只利用Peltier或Seebeck效应进行工作的〔2〕 H01L35/32 按构成器件的电池或热电偶的结构或排列区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;5;/;3;2;;;H;0;1;L;3;5;/;3;4查看分类表>
申请人	深圳大学	申请人地址	广东省深圳市龙华新区龙华街道清湖社区清湖村彩煌厂办公大楼101 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市彩煌热电科技有限公司	当前权利人	深圳市彩煌热电科技有限公司
发明人	范平;张东平;梁广兴;郑壮豪
代理机构	深圳市君胜知识产权代理事务所	代理人	王永文

摘要

本发明提出了一种温差电池的制作方法，在绝缘基片的两面分别镀制P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层，在镀制过程中，绝缘基片裸露一侧面，P型热电材料薄膜和N型热电材料薄膜都在此有沉积，而使P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层在该侧面处连接，形成PN结；无需再有专门连接P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层的过程，使得制造温差电池的工艺比较简单。由于薄膜热电材料的特性，制作出的温差电池的性能也大幅度提高。由于利用镀制过程中P型热电材料和N型热电材料都会在基片裸露侧边沉积成为连接P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层的一端，该端无焊接，该端作为热面端，则制成温差电池的热面工作温度也将大幅提高。

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