过渡金属磷化物多孔碳纳米片复合材料及其制备和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201711336728.1
IPC分类号：H01M4/88;H01M4/90
申请日期：
2017-12-14
申请人：
中国科学院大连化学物理研究所

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著录项信息

专利名称	过渡金属磷化物多孔碳纳米片复合材料及其制备和应用
申请号	CN201711336728.1	申请日期	2017-12-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-07-02	公开/公告号	CN109962245A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/88 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/86 用催化剂活化的惰性电极，例如用于燃料电池〔2〕 H01M4/88 制造方法〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;8;8;;;H;0;1;M;4;/;9;0查看分类表>
申请人	中国科学院大连化学物理研究所	申请人地址	辽宁省大连市中山路457号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院大连化学物理研究所	当前权利人	中国科学院大连化学物理研究所
发明人	王素力;戚甫来;孙公权
代理机构	沈阳科苑专利商标代理有限公司	代理人	马驰

摘要

一种过渡金属磷化物/多孔碳纳米片复合材料，所述复合材料中过渡金属磷化物(FexPy，CoxPy，NixPy，CuxPy，其中为1：4‑2：1)，过渡金属磷化物分散在多孔碳纳米片上且包覆于石墨层中，石墨层为3‑20层，所述多孔碳纳米片含有N元素，同时还含有异质元素P、S、B中的一种或两种以上。所述多孔碳纳米片中N元素的含量以及所述异质元素P、S、B中的一种或两种以上的总的质量含量分别为2％‑7％。与现有技术相比，本发明具有如下优点：制备方法简单，具有普适性可制备多种磷化物，通过投料比例和焙烧条件可得到不同x与y的比的磷化物。所得到的复合材料具有较高的比表面积和高的导电性，在电催化领域有较好的应用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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