一种半导体器件的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310473656.0
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/768;H01L21/336
申请日期：
2013-10-11
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体器件的制造方法
申请号	CN201310473656.0	申请日期	2013-10-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-29	公开/公告号	CN104576337A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	傅丰华
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;高伟

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有第一层间介电层和位于所述第一层间介电层中的高k‑金属栅极结构及位于高k‑金属栅极结构两侧的侧壁结构，在侧壁结构两侧的半导体衬底中形成有嵌入式锗硅层；在第一层间介电层中形成连通嵌入式锗硅层的接触孔；在接触孔的侧壁上形成侧墙；在通过侧墙之间露出的嵌入式锗硅层上形成自对准硅化物；形成完全填充接触孔的接触塞。根据本发明，在形成接触孔之后，先实施常规的形成侧墙的工艺以在接触孔的侧壁形成侧墙，再实施常规的形成自对准硅化物的工艺，可以避免其中的Siconi蚀刻工艺所引发的接触孔的侧壁与高k‑金属栅极结构之间的间距缩短的问题，确保二者的有效隔离。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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