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CMOS功率放大器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110203512.4
  • IPC分类号:H03F3/20;H03G3/20
  • 申请日期:
    2011-07-20
  • 申请人:
    三星电机株式会社
著录项信息
专利名称CMOS功率放大器
申请号CN201110203512.4申请日期2011-07-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-02-08公开/公告号CN102347734A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03F3/20IPC分类号H;0;3;F;3;/;2;0;;;H;0;3;G;3;/;2;0查看分类表>
申请人三星电机株式会社申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电机株式会社当前权利人三星电机株式会社
发明人金胤锡;尹喆焕;南重镇;金基仲;元俊九
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人余刚;吴孟秋
摘要
一种CMOS功率放大器,包括:第一MOS晶体管,连接于第一电源端子和第一输出级之间,并具有连接至输入级的栅极;第二MOS晶体管,连接于第一输出级和接地端之间,并具有连接至输入级的栅极;切换电路单元,将输入级和第一输出级之间的反馈线路连接或断开以选择线性放大操作或非线性放大操作;以及电阻器,设置在输入级和第一输出级之间的反馈线路上,以在接通反馈线路时确定线性放大增益。

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