利用生成催化剂颗粒的碳纳米管薄膜阴极的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00135476.0
IPC分类号：--
申请日期：
2000-12-28
申请人：
西安交通大学

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法律信息

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专利名称	利用生成催化剂颗粒的碳纳米管薄膜阴极的制备方法
申请号	CN00135476.0	申请日期	2000-12-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2001-11-07	公开/公告号	CN1320952
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	朱长纯;刘卫华
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	陈翠兰

摘要

一种利用生成催化剂颗粒的碳纳米管薄膜阴极的制备方法，它是由下述工艺过程制备成：溶胶制备、衬底预处理、制备碳纳米管薄膜阴极、检验、包装。本发明的碳纳米管生长密度可通过溶胶浓度加以调节。由于催化剂通过涂敷方法引入衬底表面，可实现大面积生长。溶胶可转变为凝胶或分散到其它冻状介质中。可通过丝网印刷工艺印制到衬底。采用本发明生长的碳纳米管大多数为具有开口结构的多层碳纳米管，具有良好的场发射特性和稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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