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高持久性非易失性存储单元

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410770312.0
  • IPC分类号:H01L29/49H01L21/336
  • 申请日期:
    2014-12-15
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称高持久性非易失性存储单元
申请号CN201410770312.0申请日期2014-12-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-02-10公开/公告号CN105321951A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/49IPC分类号H01L29/49;H01L21/336查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人施宏霖;才永轩;曹淳凯;刘珀玮;黄文铎;许祐凌
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司代理人章社杲;李伟
摘要
本发明涉及非易失性存储单元结构和相关方法。非易失性存储单元包括具有通过浮栅桥连接在一起的浮置栅极的彼此间隔开的两个晶体管。在操作过程中,非易失性存储器单元从第一晶体管编程和擦除并且从另一个第二晶体管读出。由于两个晶体管的浮置栅极连接在一起并且与其他的周围的层绝缘,存储的电荷可以受到第一晶体管的控制并且影响第二晶体管的阈值。

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