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一种非晶硅光电池的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410075029.2
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/04
申请日期：
2004-08-23
申请人：
周庆明

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种非晶硅光电池的制造方法
申请号	CN200410075029.2	申请日期	2004-08-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-03-01	公开/公告号	CN1741288
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;4查看分类表>
申请人	周庆明	申请人地址	广东省深圳市红荔西路聚豪园豪情阁8－D 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	周庆明	当前权利人	周庆明
发明人	周庆明;吴忠明;何威;赖新联
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种非晶硅光电池的制造方法，采用蚀刻非晶硅的制造工艺技术替代原有的激光加工非晶硅的制造工艺技术，生产技术工艺简单，适应性强，适于工业化大批量生产应用，易于推广；本发明所制造的非晶硅光电池，具有不受外形及单元电池图形的限制，产品性能优越，适应性强，生产成本低的特点。

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