晶片电阻的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610058144.8
IPC分类号：H01C7/00;H01C17/06;H01C17/00
申请日期：
2006-03-06
申请人：
华新科技股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶片电阻的制造方法
申请号	CN200610058144.8	申请日期	2006-03-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-08-23	公开/公告号	CN1822250
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01C7/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01C 电阻器 H01C7/00 用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器（由疏松的粉末材料或颗粒材料组成的入H01C 8/00；有电位跃变势垒或表面势垒的电阻器，如场效应电阻器入H01L 29/00；对电磁辐射或微粒子辐射敏感的半导体器件，如光敏电阻器入H01L 31/00；磁场控制电阻器入H01L 43/08体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;C;7;/;0;0;;;H;0;1;C;1;7;/;0;6;;;H;0;1;C;1;7;/;0;0查看分类表>
申请人	华新科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华新科技股份有限公司	当前权利人	华新科技股份有限公司
发明人	陆秀强;郭俊雄
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

本发明是有关于一种晶片电阻的制造方法，主要是在基板上形成有复数横向的分离线及复数穿槽，并定义各两相对穿槽及两分离线之间是一元件区，各元件区内分别印刷有主电极及电阻层，再依序纵向延着穿槽将基板分离为数个电阻单元排，将电阻单元排相互堆叠，在元件区顶面与底面的主电极以及穿槽的内侧壁镀上内层电极后，将电阻单元排沿分离线分离形成多个晶片电阻单元个体，在晶片电阻单元个体的内层电极上镀上外层电极，即形成一粒粒的晶片电阻，如此一来，晶片电阻的整个生产过程将具有更高的良率以及更佳的效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供