真空阀用电接点及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201480035785.4
IPC分类号：H01H33/664;B22F3/02;B22F3/26
申请日期：
2014-09-05
申请人：
株式会社日立制作所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	真空阀用电接点及其制造方法
申请号	CN201480035785.4	申请日期	2014-09-05
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-02-10	公开/公告号	CN105324828A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01H33/664 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01H 电开关；继电器；选择器；紧急保护装置（接触电缆入H01B7/10；电解式自断续器入H01G9/18；紧急保护电路装置入H02H；无触点电子开关入H03K17/00） H01H33/00 带有灭弧或防弧装置的高压或大电流开关 H01H33/60 不包括单独为产生或增强灭弧流体流动装置的开关灭弧或防弧装置的开关 H01H33/66 真空开关 H01H33/664 触点；灭弧装置，例如灭弧环〔7〕	IPC分类号	H;0;1;H;3;3;/;6;6;4;;;B;2;2;F;3;/;0;2;;;B;2;2;F;3;/;2;6查看分类表>
申请人	株式会社日立制作所	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社日立产机系统	当前权利人	株式会社日立产机系统
发明人	菊池茂;森田步;土屋贤治;佐藤隆;富安邦彦
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	曾贤伟;郝庆芬

摘要

在包含Cu的凝聚相分散在包含Mo、Cr、Cu的母相中的电接点中，上述凝聚相的最大粒径在4～20μm的范围内，用C×Wt表示将上述电接点整体的Cu量设为Wt时的上述母相中的Cu量，C在0.54～0.81的范围内。另外，在包含Mo、Cr、Cu的电接点的制造方法中，包括如下工序：对Mo粉末和Cr粉末的混合粉进行加压成形，形成压粉体的工序；以及将熔融后的Cu浸渍到上述压粉体中的工序。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供