TMV结构的制备方法、大板扇出型异构集成封装结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911050901.0
IPC分类号：H01L21/48;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/66
申请日期：
2019-10-31
申请人：
广东芯华微电子技术有限公司

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著录项信息

专利名称	TMV结构的制备方法、大板扇出型异构集成封装结构及其制备方法
申请号	CN201911050901.0	申请日期	2019-10-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-05	公开/公告号	CN111106013A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;6;6查看分类表>
申请人	广东芯华微电子技术有限公司	申请人地址	广东省佛山市南海区狮山镇南海软件科技园内佛高科技智库中心A座科研楼A208-1室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东芯华微电子技术有限公司	当前权利人	广东芯华微电子技术有限公司
发明人	崔成强;李潮;杨斌
代理机构	广州鼎贤知识产权代理有限公司	代理人	刘莉梅

摘要

本发明公开一种TMV结构的制备方法，包括以下步骤：提供芯片塑封板，在芯片塑封板的非芯片区域沿芯片塑封板的厚度方向开设盲孔；在盲孔内填充金属填充柱；对芯片塑封板远离盲孔开口的一侧面进行研磨抛光处理，使金属填充柱远离该侧面的一端与芯片塑封板的表面平齐，形成TMV结构。本发明可制得高质量、高可靠性的TMV结构，与传统的TMV结构采用通孔沉积制备方法相比，盲孔填充成本低，可改善TMV结构通孔填充缝隙问题，降低虚填概率，提高封装质量与可靠性，降低生产成本；本发明还公开了大板扇出型异构集成封装结构的制备方法，采用该方法可制得低成本、小型化、高集成度的大板扇出型异构集成封装结构，可提高垂直互连结构的可靠性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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