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半导体结构的制备方法及半导体结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110881728.X
  • IPC分类号:H01L21/768;H01L23/48;H01L23/532;H01L21/3213
  • 申请日期:
    2021-08-02
  • 申请人:
    长鑫存储技术有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构的制备方法及半导体结构
申请号CN202110881728.X申请日期2021-08-02
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2021-11-05公开/公告号CN113611662A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;1;3查看分类表>
申请人长鑫存储技术有限公司申请人地址
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长鑫存储技术有限公司当前权利人长鑫存储技术有限公司
发明人郭帅
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人杨明莉
摘要
本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构,所述方法包括:提供具有第一刻蚀孔的刻蚀结构,并将所述刻蚀结构置于反应室内;在反应室内的刻蚀结构上沉积第一填充材料层;采用第一蚀刻工艺去除位于反应室内刻蚀结构上的第一填充材料层,以形成第一填充层;采用第二蚀刻工艺刻蚀位于反应室内刻蚀结构上的第一填充层,以于剩余的第一填充层内形成第二刻蚀孔,第二刻蚀孔的宽度自上至下逐渐减小;在反应室内的刻蚀结构上沉积第二填充层,以使得第二填充层与保留的第一填充层共同填满第一刻蚀孔。本申请通过控制反应室内的刻蚀温度,解决了传统的高深宽比孔填充过程中容易产生空洞或空气间隙的技术问题,制造工艺简单且成本低。

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