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一种制备高性能半导体场效应晶体管器件的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710198903.9
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2017-03-29
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称一种制备高性能半导体场效应晶体管器件的方法
申请号CN201710198903.9申请日期2017-03-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-08-11公开/公告号CN107039282A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人张睿;赵毅
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人刘静;邱启旺
摘要
本发明公开了一种制备高性能半导体场效应晶体管器件的方法,该方法首先在半导体衬底上定义源极和漏极区域,对源极和漏极区域进行刻蚀,分别形成凹槽;通过常温或低温物理气相沉积在刻蚀好的凹槽中沉积半导体材料作为源极和漏极;其次通过激光退火使源极和漏极区域内沉积的半导体发生重结晶,形成源极和漏极p‑n结;最后沉积栅极绝缘层和金属栅极,形成半导体场效应晶体管器件。本发明方法通过常温/低温物理气相沉积技术,在半导体衬底刻蚀好的凹槽中沉积半导体材料作为源极和漏极,增大MOSFET器件中源漏p‑n结的掺杂浓度,减小源漏区域半导体沉积过程中的掺杂离子扩散。同时结合激光退火技术中激光脉冲时间极短的特点,抑制退火过程中掺杂离子的扩散。

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