一种基于衬底散热的VCSEL阵列芯片封装结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202011204353.5
IPC分类号：H01S5/024;H01S5/42
申请日期：
2020-11-02
申请人：
北京工业大学;陕西科技大学

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著录项信息

专利名称	一种基于衬底散热的VCSEL阵列芯片封装结构
申请号	CN202011204353.5	申请日期	2020-11-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-02-05	公开/公告号	CN112332210A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/024 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/02 基本上不涉及激光作用的结构零件或组件〔7〕 H01S5/024 冷却装置〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;2;4;;;H;0;1;S;5;/;4;2查看分类表>
申请人	北京工业大学;陕西科技大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学,陕西科技大学	当前权利人	北京工业大学,陕西科技大学
发明人	王智勇;温丛阳;代京京;许并社;马淑芳;李尉
代理机构	北京汇信合知识产权代理有限公司	代理人	朱鹏

摘要

本发明公开了一种基于衬底散热的VCSEL阵列芯片封装结构，包括：自顶部至底部依次设置的顶发射VCSEL阵列芯片、衬底层、焊料层和热沉；衬底层被刻蚀为片状结构，焊料层上设有过水结构，热沉上设有过水槽、进水口和至少一个出水口；片状结构、过水结构和过水槽构成了连续的水冷通道，水冷通道具有一个进水端和至少一个出水端；水冷通道的进水端与进水口相连、至少一个出水端与至少一个出水口对应相连。本发明使用水流散热系统代替传统的固体热沉散热片装置，将水冷和固体热沉相结合，弥补了传统的固体热沉散热片装置在工作一段时间后散热效果变差的缺陷，有效地改善了顶发射VCSEL阵列芯片散热问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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