半导体器件的超结结构及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201711354015.8
IPC分类号：--
申请日期：
2017-12-15
申请人：
深圳市晶特智造科技有限公司

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专利名称	半导体器件的超结结构及其制作方法
申请号	CN201711354015.8	申请日期	2017-12-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-13	公开/公告号	CN107910361A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	深圳市晶特智造科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙华区大浪街道华霆路119号潮回楼科技园新3栋5楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市格莱特光电有限公司	当前权利人	深圳市格莱特光电有限公司
发明人	不公告
代理机构	深圳迈辽知识产权代理有限公司	代理人	赖耀华

摘要

本发明提供一种半导体器件的超结结构及其制作方法。所述超结结构包括N型衬底、依序形成于N型衬底上的第一P型外延、第一N型外延、第二P型外延及第二N型外延、贯穿所述第二N型外延、所述第二P型外延、所述第一N型外延及所述第一P型外延的沟槽、在所述沟槽中的N型衬底上填充的第三N型外延、在所述第三N型外延上形成的第三P型外延、在所述第三P型外延上形成第四P型外延、P型体区与栅极多晶硅结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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