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瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310335334.X
  • IPC分类号:H01L21/329
  • 申请日期:
    2013-08-05
  • 申请人:
    南通康比电子有限公司
著录项信息
专利名称瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺
申请号CN201310335334.X申请日期2013-08-05
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2014-02-26公开/公告号CN103606521A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/329IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人南通康比电子有限公司申请人地址
江苏省南通市如皋市如城镇工业园区兴园路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南通康比电子有限公司当前权利人南通康比电子有限公司
发明人应燕霞;李国良;陆延年;刘海花
代理机构北京一格知识产权代理事务所(普通合伙)代理人滑春生
摘要
本发明公开了瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺,该瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺包括两个生产制程:扩散制程及GPP制程。扩散制程的步骤为:原硅片测试、原硅片清洗、附磷、磷扩、磷晶分、单面吹砂、单吹清洗、涂硼、硼扩、硼晶分、硼面吹砂、硼吹清洗;其中,步骤硼扩包括一次硼扩及二次硼扩;GPP制程的步骤依次为:氧化、一次光刻、沟槽蚀刻、烧光阻、沟槽清洗、形成SIPOS钝化膜、玻璃钝化、二次光刻、表面蚀刻、镀镍金。本发明的瞬态电压抑制二极管芯片的制作工艺,其减少了芯片缺陷,使电压分布更集中,同时降低了反向漏电流。

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