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一种抑制银导电通道过量生长的阻变存储器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201710584338.X
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2017-07-18
  • 申请人:
    东北师范大学
著录项信息
专利名称一种抑制银导电通道过量生长的阻变存储器及其制备方法
申请号CN201710584338.X申请日期2017-07-18
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2017-11-24公开/公告号CN107394040A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人东北师范大学申请人地址
吉林省长春市人民大街5268号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东北师范大学当前权利人东北师范大学
发明人徐海阳;王中强;黎旭红;陶冶;刘益春
代理机构北京神州华茂知识产权有限公司代理人吴照幸
摘要
本发明涉及一种抑制银导电通道过量生长的阻变存储器及其制备方法,包括底电极,电阻转变层,银的固体电解质材料缓冲层,顶电极,所述电阻转变层设在底电极上;所述的银的固体电解质材料缓冲层设在电阻转变层上;所述的顶电极设在银的固体电解质材料缓冲层上;本发明的制备方法简易,批量生产成本低;本发明制备的器件减小操作电压,而且抑制开启时通道过量生长,提高产出量,提升循环均一性,该器件可以应用于阻变式存储器领域和人工神经网络领域。

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