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具有通孔焊盘嵌件的硅通孔(TSV)半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN201310175220.3
IPC分类号：H01L23/485;H01L23/528
申请日期：
2013-05-13
申请人：
三星电子株式会社

基础信息

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有通孔焊盘嵌件的硅通孔(TSV)半导体器件
申请号	CN201310175220.3	申请日期	2013-05-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-04	公开/公告号	CN103426847A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/485 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/482 由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的〔5〕 H01L23/485 包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;5;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	黄善宽;朴炳律;郑显秀;千镇豪;崔吉铉
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	刘晓峰

摘要

一种半导体器件，包括在衬底的表面上的绝缘层、垂直通过衬底和绝缘层且暴露于绝缘层上的通孔结构、以及在暴露的通孔结构的表面上的通孔焊盘。通孔焊盘包括通孔焊盘本体、在通孔焊盘本体下面且突出到绝缘层中并围绕通孔结构的通孔焊盘嵌件。通孔焊盘本体和通孔焊盘嵌件包括直接在绝缘层上的通孔焊盘阻挡层和在通孔焊盘阻挡层上的通孔焊盘金属层。

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