基于支持向量机回归的晶体直径测量方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210391462.1
IPC分类号：G01B11/08
申请日期：
2012-10-12
申请人：
西安理工大学

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著录项信息

专利名称	基于支持向量机回归的晶体直径测量方法
申请号	CN201210391462.1	申请日期	2012-10-12
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-02-06	公开/公告号	CN102914270A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01B11/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01B 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 G01B11/00 以采用光学方法为特征的计量设备（G01B 9/00组中包括的各式仪器本身入G01B 9/00）〔2〕 G01B11/08 用于计量直径	IPC分类号	G;0;1;B;1;1;/;0;8查看分类表>
申请人	西安理工大学	申请人地址	陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安理工大资产经营管理有限公司,刘丁,赵跃,焦尚彬,姜雷,梁炎明,吴世海,蒋剑,西安奕斯伟材料科技有限公司,西安奕斯伟设备技术有限公司	当前权利人	西安理工大资产经营管理有限公司,刘丁,赵跃,焦尚彬,姜雷,梁炎明,吴世海,蒋剑,西安奕斯伟材料科技有限公司,西安奕斯伟设备技术有限公司
发明人	梁军利;张妙花;范自强;刘丁;梁炎明
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	李娜

摘要

本发明公开了一种基于支持向量机回归的晶体直径测量方法，首先采用CCD照相机采集单晶硅生长过程中的孔径图像，对该孔径图像进行预处理得到用于估计的采样点；然后，针对椭圆的标准模型推导出来一个用于支持向量机回归的模型，利用ε-SVR模型解出模型中的权值w及偏移量b，从而确定出椭圆拟合的参数。本发明的方法，能准确的估计晶体生长中的直径变化，使生长中的晶体直径得到很好的控制，又能在很少样本点的情况下进行很好的直径拟合，在解决高维数据时发挥了很大的优势，这是其他方法所不能达到的。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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