钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910076299.8
IPC分类号：H01L29/24;H01L21/04;H01L21/363;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/54
申请日期：
2009-01-09
申请人：
北京工业大学

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专利名称	钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结及其制备方法
申请号	CN200910076299.8	申请日期	2009-01-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-06-17	公开/公告号	CN101459194
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/12 按其构成材料的特征区分的〔2〕 H01L29/24 除掺杂材料或其他杂质外，只包括不包含在H01L 29/16，H01L 29/18，H01L 29/20或H01L 29/22各组中的无机半导体材料的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;6;3;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;0;8;;;C;2;3;C;1;4;/;5;4查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	张铭;王宪谋;严辉;宋雪梅;王波;朱满康;侯育冬;王如志;汪浩
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	张慧

摘要

钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结及其制备方法属于材料制造领域。目前还没有镧锰氧化物与氧化锡复合的p-n结。本发明所提供的p-n结包括有单晶衬底、沉积在单晶衬底上的厚度为100-300nm的SnO2层和沉积在SnO2层上的厚度为100-300nm的LSMO层。本发明通过采用磁控溅射法依次在沉底上沉积SnO2层和LSMO层，制得钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锡异质p-n结。本发明所提供的p-n结具有优异的整流特性，且成本低廉，适合工业化生产。

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