自支撑氮化镓层及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010059906.6
IPC分类号：C23C14/02;C23C14/04;C23C14/06;C23C16/02;C23C16/04;C23C16/34;C30B35/00;C30B29/38;H01L21/02
申请日期：
2020-01-19
申请人：
镓特半导体科技（上海）有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	自支撑氮化镓层及其制作方法
申请号	CN202010059906.6	申请日期	2020-01-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-02	公开/公告号	CN111218643A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/02 待镀材料的预处理（C23C 14/04优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;2;;;C;2;3;C;1;4;/;0;4;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;6;/;0;2;;;C;2;3;C;1;6;/;0;4;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;C;3;0;B;3;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	镓特半导体科技（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区泥城镇新城路2号23幢N1128室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	镓特半导体科技（上海）有限公司	当前权利人	镓特半导体科技（上海）有限公司
发明人	刘仁锁;王颖慧;特洛伊·乔纳森·贝克;罗晓菊
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	史治法

摘要

本发明涉及一种自支撑氮化镓层的制作方法，包括：提供支撑衬底；在支撑衬底的表面形成氮化物缓冲层；在氮化物缓冲层的表面形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内形成有若干个开口，开口暴露出氮化物缓冲层；于开口内及图形化掩膜层的表面形成氮化镓层，包括如下步骤：至少于开口内形成第一氮化镓层，第一氮化镓层为N型掺杂层或者半绝缘掺杂层；于第一氮化镓层上形成第二氮化镓层，第二氮化镓层为半绝缘掺杂层；将所得结构进行降温处理，以得到自支撑氮化镓层。本发明中掺杂的第一氮化镓层改变晶格取向倾向于横向生长，利于相邻开口内第一氮化镓层在图形化掩膜层弥合成片状，使得后续氮化镓层更容易剥离，提高了自支撑氮化镓层的结晶质量。

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