双压力MEMS芯片圆片级封装方法及其双压力MEMS芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN201410064374.X
IPC分类号：B81B7/00;B81C1/00
申请日期：
2014-02-22
申请人：
安徽北方芯动联科微系统技术有限公司

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著录项信息

专利名称	双压力MEMS芯片圆片级封装方法及其双压力MEMS芯片
申请号	CN201410064374.X	申请日期	2014-02-22
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2014-05-28	公开/公告号	CN103818868A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	安徽北方芯动联科微系统技术有限公司	申请人地址	安徽省蚌埠市财院路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安徽北方芯动联科微系统技术有限公司	当前权利人	安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
发明人	华亚平
代理机构	蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司	代理人	王琪

摘要

本发明公开了双压力MEMS芯片圆片级封装方法及其双压力MEMS芯片，首先在盖板圆片衬底上蚀刻两个上腔体，生长盖板绝缘层，形成盖板圆片；将盖板圆片与MEMS圆片键合，蚀刻MEMS结构层，形成待键合MEMS圆片；在设定压力的键合室中将底板圆片与待键合MEMS圆片键合；蚀刻盖板圆片，露出通气口；在设定压力的密封室中将通气口密封，形成双压力密封腔；最后将压焊块上的MEMS结构层切割掉，露出压焊块，再将封装好的MEMS圆片切割成MEMS芯片。本方法利用键合室与密封室中压力不同，形成不同压力的密封腔，不需要增加图形化工序，也不需要放入吸气剂，就可满足不同MEMS结构对不同压力的要求，工艺简单，成本低，本方法制得的MEMS芯片可以满足不同压力的需要，厚度薄，市场竞争力强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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