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单基岛埋入多圈引脚静电释放圈封装结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201120479926.5
  • IPC分类号:H01L23/31;H01L23/495
  • 申请日期:
    2011-11-28
  • 申请人:
    江苏长电科技股份有限公司
著录项信息
专利名称单基岛埋入多圈引脚静电释放圈封装结构
申请号CN201120479926.5申请日期2011-11-28
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/31IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5查看分类表>
申请人江苏长电科技股份有限公司申请人地址
江苏省无锡市江阴市澄江镇长山路78号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人芯鑫融资租赁(天津)有限责任公司,江苏长电科技股份有限公司当前权利人芯鑫融资租赁(天津)有限责任公司,江苏长电科技股份有限公司
发明人王新潮;梁志忠;谢洁人;吴昊
代理机构江阴市同盛专利事务所代理人唐纫兰
摘要
本实用新型涉及一种单基岛埋入多圈引脚静电释放圈封装结构,它包括外引脚(1)和外静电释放圈(2),所述外引脚(1)设置有多圈,所述外引脚(1)正面通过多层电镀方式形成内引脚(4),所述外静电释放圈(2)内部设置有芯片(6),所述芯片(6)正面与内引脚(4)正面之间用金属线(7)连接,所述外引脚(1)和外静电释放圈(2)的背面设置有第二金属层(10)。本实用新型的有益效果是:它省去了背面的耐高温胶膜,降低了封装成本,可选择的产品种类广,金属线键合的质量与产品可靠度的稳定性好,塑封体与金属脚的束缚能力大,实现了内引脚的高密度能力。

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