一种新的超薄含氮栅介质制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410093461.4
IPC分类号：--
申请日期：
2004-12-23
申请人：
上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种新的超薄含氮栅介质制备方法
申请号	CN200410093461.4	申请日期	2004-12-23
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-06-29	公开/公告号	CN1632922
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	上海华虹(集团)有限公司;上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市淮海中路918号18楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司	当前权利人	上海华虹(集团)有限公司,上海集成电路研发中心有限公司
发明人	万星拱
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	滕怀流;陆飞

摘要

本发明属集成电路制造工艺技术领域。具体为一种新的栅介质层制备方法。采用ISSG方法先制备一层薄氧化硅，再移入氮等离子体腔进行氮化，完毕后立即进行氮气氛退火。本发明提出一种高压脉冲等离子体氮化技术，得到了浓度与分布可控的含氮氧化硅介质层。实验证明，栅介质层沟道迁移率良好，栅极漏电流得到较大幅度抑制，同时硼穿透现象也被有效阻止。本发明方法可靠性好，操作性强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供