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化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201980072627.9
  • IPC分类号:H01L21/338H01L29/778H01L29/812
  • 申请日期:
    2019-10-30
  • 申请人:
    爱沃特株式会社
著录项信息
专利名称化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法
申请号CN201980072627.9申请日期2019-10-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-18公开/公告号CN112997283A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/338IPC分类号H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812查看分类表>
申请人爱沃特株式会社申请人地址
日本国*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人爱沃特株式会社当前权利人爱沃特株式会社
发明人菱木繁臣;川村启介
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李逸雪
摘要
提供能够提高机械强度、能够提高制造时的成品率、或者能够实现大面积的器件的化合物半导体装置、化合物半导体基板以及化合物半导体装置的制造方法。化合物半导体装置(100)具备:在俯视地观察的情况下具有包围孔(21)的形状的Si基板(1);形成于Si基板(1)的上表面(1a)且覆盖孔(21)的SiC层(3);形成于SiC层(3)的上表面侧的含Ga的氮化物层(10);和形成于氮化物层(10)的上表面侧的源极电极(13)、漏极电极(15)以及栅极电极(17)。能够通过对栅极电极(17)施加的电压来控制流过源极电极(13)与漏极电极(15)之间的电流。在从与Si基板(1)的上表面(1a)正交的方向观察与源极电极(13)、漏极电极(15)以及栅极电极(17)重叠的区域RG不存在Si基板。

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