一种低介电常数低损耗低热膨胀系数PTFE基电路基板及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011520897.2
IPC分类号：C08L27/18;C08K13/06;C08K9/10;C08K7/14;C08K7/28;H05K1/03
申请日期：
2020-12-21
申请人：
华东理工大学

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专利名称	一种低介电常数低损耗低热膨胀系数PTFE基电路基板及其制备方法
申请号	CN202011520897.2	申请日期	2020-12-21
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-12	公开/公告号	CN112480579A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08L27/18 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08L 高分子化合物的组合物（基于可聚合单体的组成成分入C08F、C08G；人造丝或纤维入D01F；织物处理的配方入D06）〔2〕 C08L27/00 具有1个或更多的不饱和脂族基化合物的均聚物或共聚物的组合物，每个不饱和脂族基只有1个碳-碳双键，并且至少有1个是以卤素为终端；此种聚合物衍生物的组合物〔2〕 C08L27/02 未用化学后处理改性的〔2〕 C08L27/12 含氟原子〔2〕 C08L27/18 四氟乙烯的均聚物或共聚物〔2〕	IPC分类号	C;0;8;L;2;7;/;1;8;;;C;0;8;K;1;3;/;0;6;;;C;0;8;K;9;/;1;0;;;C;0;8;K;7;/;1;4;;;C;0;8;K;7;/;2;8;;;H;0;5;K;1;/;0;3查看分类表>
申请人	华东理工大学	申请人地址	上海市徐汇区梅陇路130号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华东理工大学	当前权利人	华东理工大学
发明人	李秋影;刘鹏英;张宁
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种低介电常数低损耗低热膨胀系数PTFE基电路基板及其制备方法，本发明的PTFE基电路基板中，其中，PTFE树脂质量占PTFE基电路基板质量的80‑95%，玻璃纤维质量占PTFE基电路基板质量的1‑10%，中空玻璃微球质量占PTFE基电路基板质量的1‑10%，改性剂的质量占无机填料(玻璃纤维或中空玻璃微球)质量的10‑20%。本发明的制备PTFE基电路基板的方法包括无机填料的表面改性步骤和PTFE基电路基板的制备步骤。本发明的PTFE基电路基板在降低热膨胀系数(70ppm/℃)的同时还可以保证材料优异的介电性能(Dk=2.1@10GHz，Df=0.0001@10GHz)，有望可以广泛应用于电力通讯领域。

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