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一种制备浮栅的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210077723.2
  • IPC分类号:H01L21/28
  • 申请日期:
    2012-03-22
  • 申请人:
    上海华力微电子有限公司
著录项信息
专利名称一种制备浮栅的方法
申请号CN201210077723.2申请日期2012-03-22
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-08-01公开/公告号CN102623319A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人上海华力微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力微电子有限公司当前权利人上海华力微电子有限公司
发明人肖海波
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人王敏杰
摘要
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种制备浮栅的方法。本发明提出一种制备浮栅的方法,通过采用在硅衬底上依次沉积栅氧化层、浮栅、氮化硅以后,蚀刻氮化硅、浮栅层、氧化层,并停在硅衬底上,去除光阻后,采用低温原子层沉积(ALD)法沉积一层氧化层,然后以前面工艺形成的图案作为阻挡层继续蚀刻硅衬底,由于采用大于50:1的刻蚀选择比使得所用的蚀刻工艺具有各向异性,在浮栅的侧壁形成氧化硅保护膜,使得在后续的高温工艺之后浮栅下面的氧化层厚度是均匀的,从而有效地保证了器件编程的性能。

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