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一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410264504.4
  • IPC分类号:H01L43/14
  • 申请日期:
    2014-06-13
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法
申请号CN201410264504.4申请日期2014-06-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-08-27公开/公告号CN104009155A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L43/14IPC分类号H;0;1;L;4;3;/;1;4查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市海淀区信箱82分箱清华大学专利办公室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人宋成;憨家豪;潘峰
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人徐宁;孙楠
摘要
本发明涉及一种基于自旋霍尔磁电阻效应的忆阻器的实现方法,其包括以下步骤:采用磁控溅射方法在YIG基片上生长纳米厚度的Pt薄膜,采用紫外线光刻和氩离子刻蚀方法将Pt薄膜加工成“艹”字形霍尔结;在“艹”字形霍尔结的纵向外加正弦电流;在“艹”字形霍尔结横向即平行于霍尔结表面且垂直于所加正弦电流的方向外加偏置磁场;利用外加的正弦电流和偏置磁场共同调节YIG基片的磁化强度,并利用自旋霍尔磁电阻效应调节Pt薄膜的电阻,生成忆阻器。本发明直接将电荷量与磁通量用忆阻系数相联系,避免了阻变随机存储器不涉及磁效应的问题。本发明可以广泛应用于忆阻器的设计中。

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