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硅析出用芯线、该芯线的制造方法、以及多晶硅的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201880011350.4
IPC分类号：C01B33/035
申请日期：
2018-02-14
申请人：
株式会社德山

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硅析出用芯线、该芯线的制造方法、以及多晶硅的制造方法
申请号	CN201880011350.4	申请日期	2018-02-14
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-09-27	公开/公告号	CN110291040A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/035 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/021 制备（由气相的化学涂层入C23C 16/00）〔5〕 C01B33/027 使用除二氧化硅或含二氧化硅物料以外的气态或汽化的硅化合物的分解或还原〔5〕 C01B33/035 在存在硅、碳或耐熔金属（如钽或钨）的热丝情况下，或在存在热硅棒［通过沉积硅，如西门子法（siemens process）获得硅棒］情况下，用气态或汽化的硅化合物的分解或还原〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;3;5查看分类表>
申请人	株式会社德山	申请人地址	日本山口县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社德山	当前权利人	株式会社德山
发明人	西川正芳;井上裕司
代理机构	北京信诺创成知识产权代理有限公司	代理人	尹吉伟

摘要

本发明提高多晶硅的生产效率。硅芯线(11)由多晶硅的棒状体形成，多晶硅的晶格间氧浓度为10ppma以上40ppma以下，并且，在棒状体的长尺寸方向的侧面观察到晶粒径为1mm以上的晶粒。

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