纳米晶硅粉的低温球磨制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010501066.0
IPC分类号：C01B33/021
申请日期：
2010-10-09
申请人：
武汉理工大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	纳米晶硅粉的低温球磨制备方法
申请号	CN201010501066.0	申请日期	2010-10-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-02-23	公开/公告号	CN101979317A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/021 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/021 制备（由气相的化学涂层入C23C 16/00）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;2;1查看分类表>
申请人	武汉理工大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞狮路122号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉理工大学	当前权利人	武汉理工大学
发明人	陈斐;王志浩;沈强;王传彬;张联盟
代理机构	湖北武汉永嘉专利代理有限公司	代理人	王守仁

摘要

本发明涉及一种高纯、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化的纳米晶硅粉的低温球磨制备方法，即：以市售高纯硅粉（纯度：>99.9，粒度：50～500目）作为初始原料，采用液氮或者液氩作为球磨介质，不锈钢球作为研磨介质，通过低温球磨，精确控制球磨时间为1～48小时，球磨转速为100～1000转/分钟，球料质量比为10:1～100:1，即可得到一种物相单一、高纯、晶粒尺寸范围为10～100nm、表面钝化的纳米晶硅粉。本发明工艺简单，成本低廉，可重复性好，而且所制备的纳米晶硅粉具有纯度高、晶粒尺寸均匀可控、表面钝化等优异性能，可广泛应用于光电子信息和纳米技术领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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